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NF ISO 17560, X21-051 (04/2006)

Surface chemical analysis - Secondary-ion mass spectrometry - Method for depth profiling of boron in silicon - Analyse chimique des surfaces

Summary

L'ISO 17560:2002 spécifie une méthode de spectrométrie de masse des ions secondaires utilisant un spectromètre de masse à secteur magnétique ou quadripolaire pour le profilage en profondeur du bore dans le silicium et un profilomètre de surface à stylet ou un interféromètre optique pour l'étalonnage de l'échelle de profondeur. Cette méthode est applicable à des échantillons de silicium monocristallin, polycristallin ou amorphe dont les concentrations atomiques en bore sont comprises entre 1×1016 atomes/cm3 et 1×1020 atomes/cm3, et à des profondeurs de cratères de 50 nm ou plus.

Technical characteristics

Publisher Association Française de Normalisation (AFNOR)
Publication Date 04/01/2006
Release Date 04/01/2006
Page Count 16
EAN ---
ISBN ---
Weight (in grams) ---
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