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NF EN 62416, C80-202 (11/2010)
Dispositifs à semiconducteurs - Essai de porteur chaud sur les transistors MOS
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Summary
Le présent document décrit l'essai de porteur chaud au niveau de la plaquette sur les transistors NMOS et PMOS. Cet essai est destiné à déterminer si les transistors individuels sont conformes à la durée de vie exigée du porteur chaud dans un processus (C)MOS donné.
Technical characteristics
| Publisher | Association Française de Normalisation (AFNOR) |
| Publication Date | 11/01/2010 |
| Release Date | 11/01/2010 |
| Page Count | 13 |
| EAN | --- |
| ISBN | --- |
| Weight (in grams) | --- |
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