NF EN 62373, C96-051 (10/2006)

Le présent document décrit la procédure d'essai de la stabilité de la température de polarisation (essai BT) des MOSFET. Sous la contrainte d'une forte température et une tension entre source pendant une longue période, le MOSFET se dégrade. Le courant de saturation diminue et la valeur absolue de la tension de seuil augmente. Il y a des causes de dégradation par exemple la contamination par ions mobiles, des dégâts de charge, la création de pièges d'interface à l'interface SiO2/Si ou la charge fixe par le flux de porteur de charge dans l'oxyde.