31.080.30 : Transistores
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25/30531414 DC:2025
BS IEC 63672 Guidelines for evaluating DV/DT robustness of SIC power devices
5/9/2025 - PDF - Inglés - BSI
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25/30531418 DC:2025
BS IEC 63673 Guidelines for Gate Charge (QG) test method for SIC MOSFET
5/9/2025 - PDF - Inglés - BSI
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BS IEC 63505:2025
Guidelines for measuring the threshold voltage VT of SiC MOSFETs
25/4/2025 - PDF - Inglés - BSI
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IEC 63505:2025
IEC 63505:2025 Guidelines for measuring the threshold voltage (VT) of SiC MOSFETs
8/4/2025 - PDF - Inglés - IEC
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DIN EN IEC 63373:2023-08
Dynamic on-resistance test method guidelines for GaN HEMT based power conversion devices (IEC 63373:2022), German version EN IEC 63373:2022
1/8/2023 - PDF - Alemán - DIN
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23/30474926 DC:2023
BS IEC 63505. Guidelines for measuring the threshold voltage (VT) of SiC MOSFETs
6/6/2023 - PDF - Inglés - BSI
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BS IEC 62373-1:2020
Semiconductor devices. Bias-temperature stability test for metal-oxide, semiconductor, field-effect transistors (MOSFET) Fast BTI MOSFET
30/3/2023 - PDF - Inglés - BSI
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BS IEC 63284:2022
Semiconductor devices. Reliability test method by inductive load switching for gallium nitride transistors
11/11/2022 - PDF - Inglés - BSI
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BS IEC 63275-1:2022
Semiconductor devices. Reliability test method for silicon carbide discrete metal-oxide semiconductor field effect transistors Test bias temperature instability
5/10/2022 - PDF - Inglés - BSI
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IEC 63275-2:2022
IEC 63275-2:2022 Semiconductor devices - Reliability test method for silicon carbide discrete metal-oxide semiconductor field effect transistors - Part 2: Test method for bipolar degradation due to body diode operation
11/5/2022 - PDF - Inglés, Francés - IEC
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IEC 63275-1:2022
IEC 63275-1:2022 Semiconductor devices - Reliability test method for silicon carbide discrete metal-oxide semiconductor field effect transistors - Part 1: Test method for bias temperature instability
21/4/2022 - PDF - Inglés, Francés - IEC
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IEC 63284:2022
IEC 63284:2022 Semiconductor devices - Reliability test method by inductive load switching for gallium nitride transistors
21/4/2022 - PDF - Inglés, Francés - IEC
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NF EN IEC 63373, C96-373 (03/2022)
Lignes directrices pour les méthodes d'essai de résistance dynamique à l'état passant des dispositifs de conversion de puissance fondés sur les HEMT en GaN
1/3/2022 - PDF - Francés - AFNOR
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BS IEC 62899-503-3:2021
Printed electronics Quality assessment. Measuring method of contact resistance for the printed thin film transistor. Transfer length
8/9/2021 - PDF - Inglés - BSI
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IEC 62899-503-3:2021
IEC 62899-503-3:2021 Printed electronics - Part 503-3: Quality assessment - Measuring method of contact resistance for the printed thin film transistor - Transfer length method
24/8/2021 - PDF - Inglés - IEC
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BS IEC 60747-8:2010+A1:2021
Semiconductor devices. Discrete devices Field-effect transistors
9/7/2021 - PDF - Inglés - BSI
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IEC 60747-8:2010/AMD1:2021
IEC 60747-8:2010/AMD1:2021 Amendment 1 - Semiconductor devices - Discrete devices - Part 8: Field-effect transistors
25/6/2021 - PDF - Inglés - IEC
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IEC 60747-8:2010+AMD1:2021 (Consolidated version) Semiconductor devices - Discrete devices - Part 8: Field-effect transistors
25/6/2021 - - - IEC
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BS IEC 62899-503-1:2020
Printed electronics Quality assessment. Test method of displacement current measurement for printed thin-film transistor
25/9/2020 - PDF - Inglés - BSI
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IEC 62373-1:2020 Semiconductor devices - Bias-temperature stability test for metal-oxide, semiconductor, field-effect transistors (MOSFET) - Part 1: Fast BTI test for MOSFET
15/7/2020 - PDF - Inglés, Francés - IEC
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IEC 62899-503-1:2020 Printed electronics - Part 503-1: Quality assessment - Test method of displacement current measurement for printed thin-film transistor
27/5/2020 - PDF - Inglés - IEC
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BS IEC 60747-4:2007+A1:2017
Semiconductor devices. Discrete devices Microwave diodes and transistors
26/5/2020 - PDF - Inglés - BSI
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BS IEC 60747-9:2019
Semiconductor devices Discrete devices. Insulated-gate bipolar transistors (IGBTs)
22/11/2019 - PDF - Inglés - BSI
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IEC 60747-9:2019
IEC 60747-9:2019 Semiconductor devices - Part 9: Discrete devices - Insulated-gate bipolar transistors (IGBTs)
13/11/2019 - PDF - Inglés, Francés - IEC
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BS IEC 60747-7:2010+A1:2019
Semiconductor devices. Discrete devices Bipolar transistors
23/10/2019 - PDF - Inglés - BSI
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IEC 60747-7:2010/AMD1:2019
IEC 60747-7:2010/AMD1:2019 Amendment 1 - Semiconductor devices - Discrete devices - Part 7: Bipolar transistors
23/9/2019 - PDF - Inglés, Francés - IEC
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IEC 60747-7:2010+AMD1:2019 Edition 3.1
IEC 60747-7:2010+AMD1:2019 (Consolidated version) Semiconductor devices - Discrete devices - Part 7: Bipolar transistors
23/9/2019 - - - IEC
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18/30381548 DC:2018
BS EN 62373-1. Semiconductor devices. Bias-temperature stability test for metal-oxide semiconductor field-effect transistors (MOSFET) Part 1. Fast BTI Test method
3/8/2018 - PDF - Inglés - BSI
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17/30366375 DC:2017
BS IEC 62373-1. Semiconductor devices. Bias-temperature stability test for metal-oxide semiconductor field-effect transistors (MOSFET) Part 1. Fast BTI Test method
30/11/2017 - PDF - Inglés - BSI
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IEC 60747-4:2007/AMD1:2017
IEC 60747-4:2007/AMD1:2017 Amendment 1 - Semiconductor devices - Discrete devices - Part 4: Microwave diodes and transistors
30/1/2017 - PDF - Inglés, Francés - IEC
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IEC 60747-4:2007+AMD1:2017 Edition 2.1
IEC 60747-4:2007+AMD1:2017 (Consolidated version) Semiconductor devices - Discrete devices - Part 4: Microwave diodes and transistors
30/1/2017 - - - IEC
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IEEE/IEC 62860:2013
IEC/IEEE Test methods for the characterization of organic transistors and materials
30/7/2013 - PDF - Inglés - IEEE
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IEEE/IEC 62860-1:2013
IEC/IEEE Test methods for the characterization of organic transistor-based ring oscillators
30/7/2013 - PDF - Inglés - IEEE
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IEEE/IEC 62860:2013
IEC/IEEE Test methods for the characterization of organic transistors and materials
30/7/2013 - Papier - Inglés - IEEE
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IEEE/IEC 62860-1:2013
IEC/IEEE Test methods for the characterization of organic transistor-based ring oscillators
30/7/2013 - Papier - Inglés - IEEE
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IEC 60747-7:2010
IEC 60747-7:2010 Semiconductor devices - Discrete devices - Part 7: Bipolar transistors
16/12/2010 - - - IEC
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DIN EN 62416:2010-12
Semiconductor devices - Hot carrier test on MOS transistors (IEC 62416:2010), German version EN 62416:2010
1/12/2010 - PDF - Alemán - DIN
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BS EN 62416:2010
Semiconductor devices. Hot carrier test on MOS transistors
31/7/2010 - PDF - Inglés - BSI
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BS EN 62417:2010
Semiconductor devices. Mobile ion tests for metal-oxide semiconductor field effect transistors (MOSFETs)
30/6/2010 - PDF - Inglés - BSI
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IEC 62416:2010
IEC 62416:2010 Semiconductor devices - Hot carrier test on MOS transistors
26/4/2010 - PDF - Inglés, Francés - IEC
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IEC 62417:2010
IEC 62417:2010 Semiconductor devices - Mobile ion tests for metal-oxide semiconductor field effect transistors (MOSFETs)
22/4/2010 - PDF - Inglés, Francés - IEC
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IEC 60747-4:2007
IEC 60747-4:2007 Semiconductor devices - Discrete devices - Part 4: Microwave diodes and transistors
23/8/2007 - - - IEC
Más información916,00 € -
DIN EN 62373:2007-01
Bias-temperature stability test for metal-oxide, semiconductor, field-effect transistors (MOSFET) (IEC 62373:2006), German version EN 62373:2006
1/1/2007 - PDF - Alemán - DIN
Más información69,91 € -
UNE-EN 62373:2006
Bias-temperature stability test for metal-oxide, semiconductor, field-effect transistors (MOSFET) (IEC 62373:2006). (Endorsed by AENOR in November of 2006.)
1/11/2006 - PDF - Inglés - AENOR
Más información60,00 € -
BS EN 62373:2006
Bias-temperature stability test for metal-oxide, semiconductor, field-effect transistors (MOSFET)
29/9/2006 - PDF - Inglés - BSI
Más información201,00 € -
IEC 62373:2006
IEC 62373:2006 Bias-temperature stability test for metal-oxide, semiconductor, field-effect transistors (MOSFET)
18/7/2006 - PDF - Inglés, Francés - IEC
Más información93,00 € -
BS IEC 60747-8-4:2004
Discrete semiconductor devices Metal-oxide field-effect transistors (MOSFETs) for power switching applications
9/11/2004 - PDF - Inglés - BSI
Más información390,00 € -
BS QC 750114:1996
Harmonized system of quality assessment for electronic components. Semiconductor devices. Discrete devices. Field-effect transistors. Blank detail specification for case-rated field-effect transistors for switching applications
15/12/1996 - PDF - Inglés - BSI
Más información201,00 € -
DIN EN 120003:1996-11
Blank detail specification - Phototransistors, photodarlington transistors, phototransistor arrays, German version EN 120003:1992
1/11/1996 - PDF - Alemán - DIN
Más información56,17 € -
BS QC 750106:1993
Specification for harmonized system of quality assessment for electronic components. Semiconductor discrete devices. Blank detail specification. Field-effect transistors for case-rated power amplifier applications
15/7/1993 - PDF - Inglés - BSI
Más información201,00 € -
NF C96-007 (06/1989) (R2014)
Semiconductor devices. Discrete devices and integrated circuits. Part 7 : bipolar transistors. - Composants électroniques
1/6/1989 - PDF - Francés - AFNOR
Más información237,33 € -
DIN 4000-19:1988-12
Tabular layouts of article characteristics for transistors and thyristors
1/12/1988 - PDF - Alemán - DIN
Más información34,30 € -
BS EN 120004:1993
Specification for harmonized system of quality assessment for electronic components. Blank detail specification. Ambient rated photocouplers with phototransistor output
15/5/1988 - PDF - Inglés - BSI
Más información250,00 € -
UTE C86-614/A10, C86-614/A10U (04/1987)
Additif 10 à la publication UTE C 86-614 de février 1977
1/4/1987 - PDF - Francés - AFNOR
Más información166,33 € -
BS EN 120003:1993
Specification for harmonized system of quality assessment for electronic components. Blank detail specification. Phototransistors, photodarlington transistors, phototransistor arrays
15/11/1986 - PDF - Inglés - BSI
Más información180,00 € -
UTE C86-614/A9, C86-614/A9U (03/1986)
Additif 9 à la publication UTE C 86-614 de février 1977
1/3/1986 - PDF - Francés - AFNOR
Más información77,67 € -
UTE C86-614/A8, C86-614/A8U (05/1981)
ELECTRONIC COMPONENTS. BIPOLAR TRANSISTORS FOR SWITCHING APPLICATIONS. COLLECTION OF DETAILS SPECIFICATIONS WITHIN THE SCOPE OF THE FRENCH STANDARDS NF C 86-010 AND NF C 86-614 (CECC 50 000 AND CECC 50 004).
1/5/1981 - PDF - Francés - AFNOR
Más información138,00 € -
UTE C86-614/A7, C86-614/A7U (01/1981)
Additif 7 à la publication UTE C 86-614 de février 1977
1/1/1981 - PDF - Francés - AFNOR
Más información34,00 € -
UTE C86-614/A6, C86-614/A6U (01/1980)
Additif 6 à la publication UTE C 86-614 de février 1977
1/1/1980 - PDF - Francés - AFNOR
Más información95,67 € -
UTE C86-614/A5, C86-614/A5U (08/1979)
Additif 5 à la publication UTE C 86-614 de février 1977
1/8/1979 - PDF - Francés - AFNOR
Más información77,67 € -
UTE C86-614/A2, C86-614/A2U (11/1978)
ELECTRONIC COMPONENTS. BIPOLAR TRANSISTORS FOR SWITCHING APPLICATIONS. COLLECTION OF DETAIL SPECIFICATION WITHIN THE SCOPE OF THE FRENCH STANDARDS NF C 86-010 AND NF C 86-614.
1/11/1978 - PDF - Francés - AFNOR
Más información43,67 € -
UTE C86-614/A1, C86-614/A1U (04/1978)
ELECTRONIC COMPONENTS. BIPOLAR TRANSISTORS FOR SWITCHING APPLICATIONS. COLLECTION OF DETAIL SPECIFICATION WITHIN THE SCOPE OF THE FRENCH STANDARDS NF C 86-010 AND NF C 86-614.
1/4/1978 - PDF - Francés - AFNOR
Más información59,33 € -
UTE C86-614, C86-614U (02/1977)
Electronic components. Bipolar transistors for switching applications. Manual of detail specifications within the scope of the french standards NF C 86-010 and NF C 86-614 (CECC 50 000 and CECC 50 004). - Composants électroniques
1/2/1977 - PDF - Francés - AFNOR
Más información77,67 €
