29.045 : Halbleitermaterialien

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  • IEC 60146-1-1:2024

    IEC 60146-1-1:2024 Semiconductor converters - General requirements and line commutated converters - Part 1-1: Specification of basic requirements
    19.03.2024 - PDF - Englisch, Französisch - IEC
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    431,00 €

  • IEC 60146-1-1:2024 CMV

    IEC 60146-1-1:2024 CMV Semiconductor converters - General requirements and line commutated converters - Part 1-1: Specification of basic requirements
    19.03.2024 - PDF - Englisch - IEC
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    863,00 €

  • DIN 50451-4:2024-01

    Testing of materials for semiconductor technology - Determination of trace elements in liquids - Part 4: Determination of 34 elements in ultra pure water by mass spectrometry with inductively coupled plasma (ICP-MS)
    01.01.2024 - PDF - Deutsche - DIN
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    65,89 €

  • 23/30450091 DC:2023

    BS IEC 62899-203-2 Printed electronics Materials - Semiconductor Ink- Space charge limited mobility measurement in printed organic semiconductive layers
    01.12.2023 - PDF - Englisch - BSI
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    24,00 €

  • DIN 50453-1:2023-08

    Testing of materials for semiconductor technology - Determination of etch rates of etching mixtures - Part 1: Silicium monocrystals, gravimetric method
    01.08.2023 - PDF - Deutsche - DIN
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    45,98 €

  • DIN 50453-2:2023-08

    Testing of materials for semiconductor technology - Determination of etch rates of etching mixtures - Part 2: Silicon-dioxide coating, optical method
    01.08.2023 - PDF - Deutsche - DIN
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    45,98 €

  • DIN 50451-8:2022-08

    Testing of materials for semiconductor technology - Determination of traces of elements in liquids - Part 8: Determination of 33 elements in high-purity sulfuric acid by ICP-MS
    01.08.2022 - PDF - Deutsche - DIN
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    52,90 €

  • DIN 50451-5:2022-08

    Testing of materials for semiconductor technology - Determination of trace elements in liquids - Part 5: Guideline for the selection of materials and testing of their suitability for apparatus for sampling and sample preparation for the determination of trace elements in the range of micrograms per kilogram and nanograms per kilogram
    01.08.2022 - PDF - Deutsche - DIN
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    52,90 €

  • 22/30439670 DC:2021

    BS EN IEC 60146-1-1. Semiconductor converters. General requirements and line commutated converters Part 1-1. Specification of basic
    24.12.2021 - PDF - Englisch - BSI
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    24,00 €

  • BS IEC 62899-503-3:2021

    Printed electronics Quality assessment. Measuring method of contact resistance for the printed thin film transistor. Transfer length
    08.09.2021 - PDF - Englisch - BSI
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    180,00 €

  • IEC 62899-503-3:2021

    IEC 62899-503-3:2021 Printed electronics - Part 503-3: Quality assessment - Measuring method of contact resistance for the printed thin film transistor - Transfer length method
    24.08.2021 - PDF - Englisch - IEC
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    92,00 €

  • 21/30428334 DC:2021

    BS EN IEC 62899-203. Printed electronics Part 203. Materials. Semiconductor ink
    23.07.2021 - PDF - Englisch - BSI
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    24,00 €

  • DIN 50450-9:2021-07

    Testing of materials for semiconductor technology - Determination of impurities in carrier gases and dopant gases - Part 9: Determination of oxygen, nitrogen, carbonmonoxide, carbondioxide, hydrogen and C<(Index)1>-C<(Index)3>-hydrocarbons in gaseous hydrogen chloride by gaschromatography
    01.07.2021 - PDF - Deutsche - DIN
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    39,35 €

  • BS IEC 62899-503-1:2020

    Printed electronics Quality assessment. Test method of displacement current measurement for printed thin-film transistor
    25.09.2020 - PDF - Englisch - BSI
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    180,00 €

  • IEC 62899-503-1:2020

    IEC 62899-503-1:2020 Printed electronics - Part 503-1: Quality assessment - Test method of displacement current measurement for printed thin-film transistor
    27.05.2020 - PDF - Englisch - IEC
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    92,00 €

  • PD IEC TR 60146-1-2:2019

    Semiconductor converters. General requirements and line commutated converters Application guide
    13.11.2019 - PDF - Englisch - BSI
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    398,00 €

  • IEC TR 60146-1-2:2019

    IEC TR 60146-1-2:2019 Semiconductor converters - General requirements and line commutated converters - Part 1-2: Application guidelines
    22.10.2019 - PDF - Englisch - IEC
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    431,00 €

  • IEC TR 60146-1-2:2019 + Redline

    IEC TR 60146-1-2:2019 (Redline version) Semiconductor converters - General requirements and line commutated converters - Part 1-2: Application guidelines
    22.10.2019 - PDF - Englisch - IEC
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    561,00 €

  • BS IEC 62899-203:2018

    Printed electronics Materials. Semiconductor ink
    10.10.2018 - PDF - Englisch - BSI
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    250,00 €

  • IEC 62899-203:2018

    IEC 62899-203:2018 Printed electronics - Part 203: Materials - Semiconductor ink
    28.09.2018 - PDF - Englisch - IEC
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    173,00 €

  • DIN 50451-7:2018-04

    Prüfung von Materialien für die Halbleitertechnologie - Bestimmung von Elementspuren in Flüssigkeiten - Teil 7: Bestimmung von 31 Elementen in hochreiner Salzsäure mittels ICP-MS
    01.04.2018 - PDF - Deutsche - DIN
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    59,63 €

  • DIN SPEC 1994:2017-02

    Prüfung von Materialien für die Halbleitertechnologie - Bestimmung von Anionen in schwachen Säuren
    01.02.2017 - PDF - Deutsche - DIN
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    42,43 €

  • NF EN 62047-25, C96-050-25 (12/2016)

    Halbleiterbauelemente - Bauelemente der Mikrosystemtechnik - Teil 25 : siliziumbasierte MEMS-Herstellungstechnologie - Messverfahren zur Zug-Druck- und Scherfestigkeit gebondeter Flächen im Mikrometerbereich
    01.12.2016 - Paper - Französisch - AFNOR
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    103,33 €

  • ASTM F980-16(2024)

    Standard Guide for Measurement of Rapid Annealing of Neutron-Induced Displacement Damage in Silicon Semiconductor Devices
    01.12.2016 - PDF - Englisch - ASTM
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    60,00 €

  • ASTM F980-16(2024) + Redline

    Standard Guide for Measurement of Rapid Annealing of Neutron-Induced Displacement Damage in Silicon Semiconductor Devices
    01.12.2016 - PDF - Englisch - ASTM
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    72,00 €

  • NF EN 62047-22, C96-050-22 (12/2014)

    Halbleiterbauelemente - Bauelemente der Mikrosystemtechnik - Teil 22 : Elektromechanisches Zug-Prüfverfahren für leitfähige Dünnschicten auf flexiblen Substraten
    01.12.2014 - Paper - Französisch - AFNOR
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    72,00 €

  • DIN 50451-3:2014-11

    Prüfung von Materialien für die Halbleitertechnologie - Bestimmung von Elementspuren in Flüssigkeiten - Teil 3: Bestimmung von 31 Elementen in hochreiner Salpetersäure mittels ICP-MS
    01.11.2014 - PDF - Deutsche - DIN
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    72,80 €

  • DIN 50451-6:2014-11

    Prüfung von Materialien für die Halbleitertechnologie - Bestimmung von Elementspuren in Flüssigkeiten - Teil 6: Bestimmung von 36 Elementen in hochreiner Ammoniumfluorid-Lösung (NH<(Index)4>F) und Ätzmischungen aus hochreiner Ammoniumfluorid-Lösung mit Flusssäure
    01.11.2014 - PDF - Deutsche - DIN
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    59,63 €

  • NF EN 62047-11, C96-050-11 (03/2014)

    Halbleiterbauelemente - Bauelemente der Mikrosystemtechnik - Teil 11 : Prüfverfahren für lineare thermische Ausdehnungskoeffizienten für freistehende Werstoffe der Mikrosystemtechnik
    01.03.2014 - Paper - Französisch - AFNOR
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    103,33 €

  • NF EN 62047-18, C96-050-18 (02/2014)

    Halbleiterbauelemente - Bauelemente der Mikrosystemtechnik - Teil 18 : Biegeprüfverfahren für Dünnschichtwerkstoffe
    01.02.2014 - Paper - Französisch - AFNOR
    mehr dazu
    88,33 €

  • ASTM D6095-12(2023)

    Standard Test Method for Longitudinal Measurement of Volume Resistivity for Extruded Crosslinked and Thermoplastic Semiconducting Conductor and Insulation Shielding Materials
    01.11.2012 - PDF - Englisch - ASTM
    mehr dazu
    48,00 €

  • NF EN 62047-9, C96-050-9 (04/2012)

    Halbleiterbauelemente - Bauelemente der Mikrosystemtechnik - Teil 9 : Prüfverfahren zur Festigkeit von Full-Wafer-Bondverbindungen in der Mikrosystemtechnik (MEMS)
    01.04.2012 - Paper - Französisch - AFNOR
    mehr dazu
    103,33 €

  • ASTM D6095-12(2023) + Redline

    Standard Test Method for Longitudinal Measurement of Volume Resistivity for Extruded Crosslinked and Thermoplastic Semiconducting Conductor and Insulation Shielding Materials
    01.01.2012 - PDF - Englisch - ASTM
    mehr dazu
    57,00 €

  • ASTM E1438-11(2019)

    Standard Guide for Measuring Widths of Interfaces in Sputter Depth Profiling Using SIMS
    01.01.2011 - PDF - Englisch - ASTM
    mehr dazu
    46,00 €

  • ASTM E1438-11(2019) + Redline

    Standard Guide for Measuring Widths of Interfaces in Sputter Depth Profiling Using SIMS
    01.01.2011 - PDF - Englisch - ASTM
    mehr dazu
    53,00 €

  • BS EN 60146-1-1:2010

    Halbleiter-Stromrichter. Allgemeine Anforderungen und netzgeführte Stromrichter. Festlegung der Grundanforderungen
    31.08.2010 - PDF - Englisch - BSI
    mehr dazu
    377,00 €

  • GB/T 1558-2009

    Test method for substitutional atomic carbon concent of silicon by infrared absorption
    30.10.2009 - PDF - Englisch - CODCHI
    mehr dazu
    165,00 €

  • DIN 50455-1:2009-10

    Prüfung von Materialien für die Halbleitertechnologie - Verfahren zur Charakterisierung von Fotolacken - Teil 1: Bestimmung der Schichtdicke mit optischen Messverfahren
    01.10.2009 - PDF - Deutsche - DIN
    mehr dazu
    39,35 €

  • DIN 50452-2:2009-10

    Prüfung von Materialien für die Halbleitertechnologie - Verfahren zur Teilchenanalytik in Flüssigkeiten - Teil 2: Teilchenbestimmung mit optischen Durchflusspartikelzählern
    01.10.2009 - PDF - Deutsche - DIN
    mehr dazu
    52,90 €

  • ASTM D3004-08(2020)

    Standard Specification for Crosslinked and Thermoplastic Extruded Semi-Conducting, Conductor, and Insulation Shielding Materials
    01.01.2008 - PDF - Englisch - ASTM
    mehr dazu
    46,00 €

  • ASTM D3004-08(2020) + Redline

    Standard Specification for Crosslinked and Thermoplastic Extruded Semi-Conducting, Conductor, and Insulation Shielding Materials
    01.01.2008 - PDF - Englisch - ASTM
    mehr dazu
    53,00 €

  • DIN 50451-4:2007-02

    Prüfung von Materialien für die Halbleitertechnologie - Bestimmung von Elementspuren in Flüssigkeiten - Teil 4: Bestimmung von 34 Elementen in hochreinem Wasser durch Massenspektrometrie mit induktiv gekoppeltem Plasma (ICP-MS)
    01.02.2007 - PDF - Deutsche - DIN
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    59,63 €

  • BS EN 62226-2-1:2005

    Exposure to electric or magnetic fields in the low and intermediate frequency range. Methods for calculating current density internal field induced human body 2D models
    11.02.2005 - PDF - Englisch - BSI
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    348,00 €

  • JIS R 1650-1:2002 (R2016)

    Testing method for fine ceramics thermoelectric materials Part 1: Thermoelectric power
    20.03.2002 - PDF - Japanisch - JSA
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    25,00 €

  • JIS R 1650-2:2002 (R2016)

    Testing method for fine ceramics thermoelectric materials Part 2: Resistivity
    20.03.2002 - PDF - Japanisch - JSA
    mehr dazu
    25,00 €

  • JIS R 1650-3:2002 (R2016)

    Method for measurement of fine ceramics thermoelectric materials Part 3: Thermal diffusivity, specific heat capacity, and thermal conductivity
    20.03.2002 - PDF - Japanisch - JSA
    mehr dazu
    25,00 €

  • JIS R 1651:2002 (R2016)

    Method for measurement of pyroelectric coefficient of fine ceramics
    20.03.2002 - PDF - Japanisch - JSA
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    25,00 €

  • JIS R 1801:2002 (R2016)

    Method of measuring spectral emissivity of ceramic radiating materials for infrared heaters by using FTIR
    20.03.2002 - PDF - Japanisch - JSA
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    25,00 €

  • DIN 50455-2:1999-11

    Prüfung von Materialien für die Halbleitertechnologie - Verfahren zur Charakterisierung von Fotolacken - Teil 2: Bestimmung der Lichtempfindlichkeit von Positiv-Fotolacken
    01.11.1999 - PDF - Deutsche - DIN
    mehr dazu
    32,34 €

  • DIN 50455-2:1999-11

    Prüfung von Materialien für die Halbleitertechnologie - Verfahren zur Charakterisierung von Fotolacken - Teil 2: Bestimmung der Lichtempfindlichkeit von Positiv-Fotolacken
    01.11.1999 - PDF - Englisch - DIN
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    40,56 €

  • JIS H 0614:1996 (R2015)

    Visual inspection for silicon wafers with specular surfaces
    01.01.1996 - PDF - Japanisch - JSA
    mehr dazu
    25,00 €

  • DIN 50452-1:1995-11

    Prüfung von Materialien für die Halbleitertechnologie - Verfahren zur Teilchenanalytik in Flüssigkeiten - Teil 1: Mikroskopische Teilchenbestimmung
    01.11.1995 - PDF - Deutsche - DIN
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    32,34 €

  • DIN 50452-1:1995-11

    Prüfung von Materialien für die Halbleitertechnologie - Verfahren zur Teilchenanalytik in Flüssigkeiten - Teil 1: Mikroskopische Teilchenbestimmung
    01.11.1995 - PDF - Englisch - DIN
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    40,56 €

  • JIS H 0602:1995 (R2015)

    Testing method of resistivity for silicon crystals and silicon wafers with four-point probe
    01.11.1995 - PDF - Japanisch - JSA
    mehr dazu
    25,00 €

  • DIN 50452-3:1995-10

    Prüfung von Materialien für die Halbleitertechnologie - Verfahren zur Teilchenanalytik in Flüssigkeiten - Teil 3: Kalibrierung von optischen Durchflußpartikelzählern
    01.10.1995 - PDF - Deutsche - DIN
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    39,35 €

  • DIN 50452-3:1995-10

    Prüfung von Materialien für die Halbleitertechnologie - Verfahren zur Teilchenanalytik in Flüssigkeiten - Teil 3: Kalibrierung von optischen Durchflußpartikelzählern
    01.10.1995 - PDF - Englisch - DIN
    mehr dazu
    49,16 €

  • JIS H 0604:1995 (R2014)

    Measuring of minority-carrier lifetime in silicon single crystal by photoconductive decay method
    01.07.1995 - PDF - Japanisch - JSA
    mehr dazu
    25,00 €

  • JIS H 0611:1994 (R2015)

    Methods of measurement of thickness, thickness variation and bow for silicon wafer
    01.01.1994 - PDF - Japanisch - JSA
    mehr dazu
    25,00 €

  • DIN 50450-4:1993-09

    Prüfung von Materialien für die Halbleitertechnologie, Bestimmung von Verunreinigungen in Träger- und Dotiergasen, Bestimmung von C<(Index)1>-C<(Index)3>-Kohlenwasserstoffen in Stickstoff mit Gaschromatographie
    01.09.1993 - PDF - Deutsche - DIN
    mehr dazu
    32,34 €

  • DIN 50450-2:1991-03

    Prüfung von Materialien für die Halbleitertechnologie, Bestimmung von Verunreinigungen in Träger- und Dotiergasen, Bestimmung der Sauerstoffverunreinigung in Stickstoff, Argon, Helium, Neon und Wasserstoff mittels einer galvanischen Meßzelle
    01.03.1991 - PDF - Deutsche - DIN
    mehr dazu
    32,34 €

  • DIN 50450-1:1987-08

    Prüfung von Materialien für die Halbleitertechnologie, Bestimmung von Verunreinigungen in Träger- und Dotiergasen, Bestimmung der Wasserverunreinigung in Wasserstoff, Sauerstoff, Stickstoff, Argon und Helium mittels einer Diphosphorpentoxidzelle
    01.08.1987 - PDF - Deutsche - DIN
    mehr dazu
    32,34 €

  • DIN 1715-1:1983-11

    Thermostat metals, technical delivery conditions
    01.11.1983 - PDF - Deutsche - DIN
    mehr dazu
    45,98 €

  • DIN 1715-1:1983-11

    Thermostat metals, technical delivery conditions
    01.11.1983 - PDF - Englisch - DIN
    mehr dazu
    57,57 €

  • DIN 1715-2:1983-11

    Thermostat metals, testing the specific thermal curvature
    01.11.1983 - PDF - Deutsche - DIN
    mehr dazu
    32,34 €

  • DIN 1715-2:1983-11

    Thermostat metals, testing the specific thermal curvature
    01.11.1983 - PDF - Englisch - DIN
    mehr dazu
    40,56 €

  • JIS H 0603:1978 (R2014)

    Measurement of minority carrier life time in germanium by photoconductive decay method
    01.03.1978 - PDF - Japanisch - JSA
    mehr dazu
    25,00 €

  • JIS H 0607:1978 (R2014)

    Determination of conductivity type in germanium by thermoelectromotive method
    01.03.1978 - PDF - Japanisch - JSA
    mehr dazu
    25,00 €

  • JIS H 0613:1978 (R2014)

    Visual inspection for sliced and lapped silicon wafers
    01.01.1978 - PDF - Japanisch - JSA
    mehr dazu
    25,00 €

  • JIS H 0610:1966 (R2014)

    Method of measurement of etch pit density of germanium crystal
    01.12.1966 - PDF - Japanisch - JSA
    mehr dazu
    25,00 €

  • JIS H 0601:1962 (R2014)

    Testing methods of resistivity for germanium
    01.06.1962 - PDF - Japanisch - JSA
    mehr dazu
    25,00 €

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