| Nom | Support | Langue | Disponibilité | Date d'édition | Prix | ||
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Papier |
Français |
Active |
01/03/2022 |
88,33 € |
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Détails
Le présent document donne des lignes directrices pour l'essai de résistance dynamique à l'état passant des solutions de transistors de puissance latéraux en GaN. En règle générale, l'essai de résistance dynamique à l'état passant est une mesure des phénomènes de piégeage de charge dans les transistors de puissance en GaN.
Informations supplémentaires
| Auteur | Association Française de Normalisation (AFNOR) |
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| Edité par | AFNOR |
| Type de document | Norme |
| ICS | 31.080.30 : Transistors
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| Nombre de pages | 17 |
| Poids (kg.) | 0.13 |
| Mot-clé | NF EN IEC 63373 |
