| Nom | Support | Langue | Disponibilité | Date d'édition | Prix | ||
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PDF |
Anglais, Français |
Active |
11/05/2022 |
46,00 € |
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Détails
L’IEC 63275-2:2022 donne la méthode d’essai et une procédure utilisant cette méthode pour évaluer la dérive de la tension à l’état passant, la dérive de la résistance à l’état passant et la variation de tension de drain inverse des dispositifs MOSFET de puissance en carbure de silicium (SiC) en raison du fonctionnement de la diode intrinsèque. Cet essai n’est généralement pas demandé pour les transistors de puissance en Si.
Informations supplémentaires
| Auteur | International Electrotechnical Commission (IEC) |
|---|---|
| Comité | TC 47 |
| Edité par | IEC |
| Type de document | Norme |
| Edition révision n° | 1 |
| ICS | 31.080.30 : Transistors
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| Nombre de pages | 20 |
| Mot-clé | IEC63275-2,IEC 63275-2:2022,IEC 63275-2,TC 47 |
