IEC 60749-28:2022

IEC 60749-28:2022

IEC 60749-28:2022 Dispositifs à semiconducteurs - Méthodes d’essai mécaniques et climatiques - Partie 28: Essai de sensibilité aux décharges électrostatiques (DES) - Modèle de dispositif chargé (CDM) - niveau du dispositif

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Détails

IEC 60749-28:2022 est disponible sous forme de IEC 60749-28:2022 RLV qui contient la Norme internationale et sa version Redline, illustrant les modifications du contenu technique depuis l'édition précédente.

L’IEC 60749-28:2022 établit la procédure d’essai, d’évaluation et de classification des dispositifs et des microcircuits selon leur susceptibilité (sensibilité) au dommage ou leur dégradation par suite de leur exposition à une décharge électrostatique (DES) sur un modèle défini de dispositif chargé (CDM) induit par champ. Tous les dispositifs à semiconducteurs, circuits à couches minces, dispositifs à ondes acoustiques de surface (OAS), dispositifs optoélectroniques, circuits intégrés hybrides (HIC - hybrid integrated circuits) et modules multipuces (MCM - multi-chip modules) en boîtiers qui contiennent l’un de ces dispositifs doivent être évalués selon le présent document. Pour effectuer les essais, les dispositifs sont assemblés dans un boîtier similaire à celui prévu dans l’application finale. Le présent document CDM ne s’applique pas aux appareils d’essai de modèles de décharge avec support. Il décrit en revanche la méthode induite par champ (FI - field-induced). Une méthode alternative, la méthode par contact direct (DC - direct contact), est décrite à l’Annexe J. L’objet du présent document est d’établir une méthode d'essai qui reproduit les défaillances du CDM et de fournir des résultats d'essais de DES de CDM fiables et reproductibles d'un appareil d'essai à un autre, indépendamment du type de dispositif. Des données reproductibles permettent des classifications et des comparaisons exactes des niveaux de sensibilité de DES de CDM. Cette édition contient les modifications techniques majeures suivantes par rapport à l'édition précédente:
- ajout d’un nouveau paragraphe et d'une nouvelle annexe relatifs aux problèmes associés à l’essai de CDM des circuits intégrés et des semiconducteurs discrets dans de très petits boîtiers,
- introduction de modifications afin de clarifier le nettoyage des dispositifs et des appareils d’essai.

Informations supplémentaires

Auteur International Electrotechnical Commission (IEC)
Comité TC 47
Edité par IEC
Type de document Norme
Edition révision n° 2
ICS 31.080.01 : Dispositifs à semi-conducteurs en général
Nombre de pages 98
Remplace IEC 60749-28:2017
Historique IEC 60749-28:2017
Mot-clé IEC60749-28,IEC 60749-28:2022,IEC 60749-28,TC 47