31.080.30 : Transistors
-
DIN EN IEC 63373:2023-08
Dynamic on-resistance test method guidelines for GaN HEMT based power conversion devices (IEC 63373:2022), German version EN IEC 63373:2022
01/08/2023 - PDF - Allemand -
En savoir plus85,79 € -
BS IEC 62373-1:2020
Semiconductor devices. Bias-temperature stability test for metal-oxide, semiconductor, field-effect transistors (MOSFET) Fast BTI MOSFET
30/03/2023 - PDF - Anglais -
En savoir plus250,00 € -
BS IEC 63284:2022
Semiconductor devices. Reliability test method by inductive load switching for gallium nitride transistors
11/11/2022 - PDF - Anglais -
En savoir plus180,00 € -
BS IEC 63275-1:2022
Semiconductor devices. Reliability test method for silicon carbide discrete metal-oxide semiconductor field effect transistors Test bias temperature instability
05/10/2022 - PDF - Anglais -
En savoir plus180,00 € -
IEC 63275-2:2022
IEC 63275-2:2022 Dispositifs à semiconducteurs - Méthode d’essai de fiabilité pour les transistors à effet de champ métal-oxyde-semiconducteurs discrets en carbure de silicium - Partie 2: Méthode d’essai de la dégradation bipolaire due au fonctionnement de la diode intrinsèque
11/05/2022 - PDF - Anglais, Français -
En savoir plus46,00 € -
IEC 63275-1:2022
IEC 63275-1:2022 Dispositifs à semiconducteurs - Méthode d’essai de fiabilité pour les transistors à effet de champ métal-oxyde-semiconducteurs discrets en carbure de silicium - Partie 1: Méthode d’essai pour la mesure de la dérive de la tension de seuil après polarisation électrique en température
21/04/2022 - PDF - Anglais, Français -
En savoir plus92,00 € -
IEC 63284:2022
IEC 63284:2022 Dispositifs à semiconducteurs - Méthode d’essai de fiabilité par la commutation sur charge inductive pour les transistors au nitrure de gallium
21/04/2022 - PDF - Anglais, Français -
En savoir plus92,00 € -
NF EN IEC 63373, C96-373 (03/2022)
Lignes directrices pour les méthodes d'essai de résistance dynamique à l'état passant des dispositifs de conversion de puissance fondés sur les HEMT en GaN
01/03/2022 - Papier - Français -
En savoir plus88,33 € -
BS IEC 62899-503-3:2021
Printed electronics Quality assessment. Measuring method of contact resistance for the printed thin film transistor. Transfer length
08/09/2021 - PDF - Anglais -
En savoir plus180,00 € -
IEC 62899-503-3:2021
IEC 62899-503-3:2021 Printed electronics - Part 503-3: Quality assessment - Measuring method of contact resistance for the printed thin film transistor - Transfer length method
24/08/2021 - PDF - Anglais -
En savoir plus92,00 € -
BS IEC 60747-8:2010+A1:2021
Semiconductor devices. Discrete devices Field-effect transistors
09/07/2021 - PDF - Anglais -
En savoir plus377,00 € -
IEC 60747-8:2010/AMD1:2021
IEC 60747-8:2010/AMD1:2021 Amendment 1 - Semiconductor devices - Discrete devices - Part 8: Field-effect transistors
25/06/2021 - PDF - Anglais -
En savoir plus46,00 € -
IEC 60747-8:2010+AMD1:2021 Edition 3.1
IEC 60747-8:2010+AMD1:2021 (Consolidated version) Semiconductor devices - Discrete devices - Part 8: Field-effect transistors
25/06/2021 - PDF - Anglais -
En savoir plus558,00 € -
BS IEC 62899-503-1:2020
Printed electronics Quality assessment. Test method of displacement current measurement for printed thin-film transistor
25/09/2020 - PDF - Anglais -
En savoir plus180,00 € -
IEC 62373-1:2020
IEC 62373-1:2020 Dispositifs à semiconducteurs - Essai de stabilité de température en polarisation pour transistors à effet de champ métal-oxyde-semiconducteur (MOSFET) - Partie 1: Essai rapide de BTI pour les MOSFET
15/07/2020 - PDF - Anglais, Français -
En savoir plus173,00 € -
IEC 62899-503-1:2020
IEC 62899-503-1:2020 Printed electronics - Part 503-1: Quality assessment - Test method of displacement current measurement for printed thin-film transistor
27/05/2020 - PDF - Anglais -
En savoir plus92,00 € -
BS IEC 60747-4:2007+A1:2017
Semiconductor devices. Discrete devices Microwave diodes and transistors
26/05/2020 - PDF - Anglais -
En savoir plus449,00 € -
20/30406234 DC:2020
BS IEC 63275-2 Ed.1.0. Semiconductor devices. Reliability test method for silicon carbide discrete metal-oxide semiconductor field effect transistors Part 2. Test bipolar degradation by body diode operating
01/04/2020 - PDF - Anglais -
En savoir plus24,00 € -
BS IEC 60747-9:2019
Semiconductor devices Discrete devices. Insulated-gate bipolar transistors (IGBTs)
22/11/2019 - PDF - Anglais -
En savoir plus377,00 € -
IEC 60747-9:2019
IEC 60747-9:2019 Dispositifs à semiconducteurs - Partie 9: Dispositifs discrets - Transistors bipolaires à grille isolée (IGBT)
13/11/2019 - PDF - Anglais, Français -
En savoir plus397,00 € -
BS IEC 60747-7:2010+A1:2019
Semiconductor devices. Discrete devices Bipolar transistors
23/10/2019 - PDF - Anglais -
En savoir plus398,00 € -
IEC 60747-7:2010/AMD1:2019
IEC 60747-7:2010/AMD1:2019 Amendment 1 - Semiconductor devices - Discrete devices - Part 7: Bipolar transistors
23/09/2019 - PDF - Anglais, Français -
En savoir plus12,00 € -
IEC 60747-7:2010+AMD1:2019 Edition 3.1
IEC 60747-7:2010+AMD1:2019 (Version consolidée) Dispositifs à semiconducteurs - Dispositifs discrets - Partie 7: Transistors bipolaires
23/09/2019 - PDF - Anglais, Français -
En savoir plus558,00 € -
18/30381548 DC:2018
BS EN 62373-1. Semiconductor devices. Bias-temperature stability test for metal-oxide semiconductor field-effect transistors (MOSFET) Part 1. Fast BTI Test method
03/08/2018 - PDF - Anglais -
En savoir plus24,00 € -
17/30366375 DC:2017
BS IEC 62373-1. Semiconductor devices. Bias-temperature stability test for metal-oxide semiconductor field-effect transistors (MOSFET) Part 1. Fast BTI Test method
30/11/2017 - PDF - Anglais -
En savoir plus24,00 € -
IEC 60747-4:2007/AMD1:2017
IEC 60747-4:2007/AMD1:2017 Amendment 1 - Semiconductor devices - Discrete devices - Part 4: Microwave diodes and transistors
30/01/2017 - PDF - Anglais, Français -
En savoir plus23,00 € -
IEC 60747-4:2007+AMD1:2017 Edition 2.1
IEC 60747-4:2007+AMD1:2017 (Version consolidée) Dispositifs à semiconducteurs - Dispositifs discrets - Partie 4: Diodes et transistors hyperfréquences
30/01/2017 - PDF - Anglais, Français -
En savoir plus610,00 € -
IEEE/IEC 62860:2013
IEC/IEEE Test methods for the characterization of organic transistors and materials
30/07/2013 - Papier - Anglais -
En savoir plus248,00 € -
IEEE/IEC 62860-1:2013
IEC/IEEE Test methods for the characterization of organic transistor-based ring oscillators
30/07/2013 - PDF - Anglais -
En savoir plus139,00 € -
IEEE/IEC 62860:2013
IEC/IEEE Test methods for the characterization of organic transistors and materials
30/07/2013 - PDF - Anglais -
En savoir plus197,00 € -
IEEE/IEC 62860-1:2013
IEC/IEEE Test methods for the characterization of organic transistor-based ring oscillators
30/07/2013 - Papier - Anglais -
En savoir plus167,00 € -
IEC 60747-7:2010
IEC 60747-7:2010 Dispositifs à semiconducteurs - Dispositifs discrets - Partie 7: Transistors bipolaires
16/12/2010 - PDF - Anglais, Français -
En savoir plus431,00 € -
IEC 60747-8:2010
IEC 60747-8:2010 Dispositifs à semiconducteurs - Dispositifs descrets - Partie 8: Transistors à effet de champ
15/12/2010 - PDF - Anglais, Français -
En savoir plus397,00 € -
DIN EN 62416:2010-12
Dispositifs à semi-conducteurs - Essai de porteur chaud sur les transistors MOS (CEI 62416:2010), Version allemande EN 62416:2010
01/12/2010 - PDF - Allemand -
En savoir plus72,80 € -
BS EN 62416:2010
Semiconductor devices. Hot carrier test on MOS transistors
31/07/2010 - PDF - Anglais -
En savoir plus151,00 € -
BS EN 62417:2010
Semiconductor devices. Mobile ion tests for metal-oxide semiconductor field effect transistors (MOSFETs)
30/06/2010 - PDF - Anglais -
En savoir plus151,00 € -
IEC 62416:2010
IEC 62416:2010 Dispositifs à semiconducteurs - Essai de porteur chaud sur les transistors MOS
26/04/2010 - PDF - Anglais, Français -
En savoir plus46,00 € -
IEC 62417:2010
IEC 62417:2010 Dispositifs à semiconducteurs - Essais d'ions mobiles pour transistors à semiconducteurs à oxyde métallique à effet de champ (MOSFETs)
22/04/2010 - PDF - Anglais, Français -
En savoir plus23,00 € -
IEC 60747-4:2007
IEC 60747-4:2007 Dispositifs à semiconducteurs - Dispositifs discrets - Partie 4: Diodes et transistors hyperfréquences
23/08/2007 - PDF - Anglais, Français -
En savoir plus460,00 € -
DIN EN 62373:2007-01
Essai de stabilité de température en polarisation pour transistors à effet de champ métal-oxyde-semiconducteur (MOSFET) (CEI 62373:2006), Version allemande EN 62373:2006
01/01/2007 - PDF - Allemand -
En savoir plus65,89 € -
UNE-EN 62373:2006
Bias-temperature stability test for metal-oxide, semiconductor, field-effect transistors (MOSFET) (IEC 62373:2006). (Endorsed by AENOR in November of 2006.)
01/11/2006 - PDF - Anglais -
En savoir plus60,00 € -
BS EN 62373:2006
Bias-temperature stability test for metal-oxide, semiconductor, field-effect transistors (MOSFET)
29/09/2006 - PDF - Anglais -
En savoir plus180,00 € -
IEC 62373:2006
IEC 62373:2006 Essai de stabilité de température en polarisation pour transistors à effet de champ métal-oxyde-semiconducteur (MOSFET)
18/07/2006 - PDF - Anglais, Français -
En savoir plus92,00 € -
BS IEC 60747-8-4:2004
Discrete semiconductor devices Metal-oxide field-effect transistors (MOSFETs) for power switching applications
09/11/2004 - PDF - Anglais -
En savoir plus348,00 € -
BS QC 750114:1996
Harmonized system of quality assessment for electronic components. Semiconductor devices. Discrete devices. Field-effect transistors. Blank detail specification for case-rated field-effect transistors for switching applications
15/12/1996 - PDF - Anglais -
En savoir plus180,00 € -
DIN EN 120003:1996-11
Spécification particulière cadre - Phototransistors, transistors photodarlington, réseaux de phototransistors, version allemande EN 120003:1992
01/11/1996 - PDF - Allemand -
En savoir plus52,90 € -
UNE-EN 120003:1992
BDS: PHOTOTRANSISTORS, PHOTOCARLINGTON TRANSISTORS, PHOTOTRANSISTOR ARRAYS. (Endorsed by AENOR in September of 1996.)
01/09/1996 - PDF - Anglais -
En savoir plus46,00 € -
UNE-EN 120004:1992
BDS: AMBIENT RATED PHOTOCOUPLERS WITH PHOTOTRANSISTORS OUTPUT. (Endorsed by AENOR in September of 1996.)
01/09/1996 - PDF - Anglais -
En savoir plus60,00 € -
BS QC 750106:1993
Specification for harmonized system of quality assessment for electronic components. Semiconductor discrete devices. Blank detail specification. Field-effect transistors for case-rated power amplifier applications
15/07/1993 - PDF - Anglais -
En savoir plus180,00 € -
NF EN 120003, C93-120-003 (07/1992)
Spécification particulière cadre : phototransistors, transistors photodarlington, réseaux de phototransistors
01/07/1992 - Papier - Français -
En savoir plus88,00 € -
NF C96-007 (06/1989) (R2014)
Composants électroniques - Dispositifs à semiconducteurs - Dispositifs discrets et circuits intégrés - Septième partie : transistors bipolaires.
01/06/1989 - Papier - Français -
En savoir plus219,33 € -
DIN 4000-19:1988-12
Grille de description pour caractéristiques des objets des transistors et thyristors
01/12/1988 - PDF - Allemand -
En savoir plus32,34 € -
BS EN 120004:1993
Specification for harmonized system of quality assessment for electronic components. Blank detail specification. Ambient rated photocouplers with phototransistor output
15/05/1988 - PDF - Anglais -
En savoir plus250,00 € -
UTE C86-614/A10, C86-614/A10U (04/1987)
Additif 10 à la publication UTE C 86-614 de février 1977
01/04/1987 - Papier - Français -
En savoir plus72,00 € -
BS EN 120003:1993
Specification for harmonized system of quality assessment for electronic components. Blank detail specification. Phototransistors, photodarlington transistors, phototransistor arrays
15/11/1986 - PDF - Anglais -
En savoir plus180,00 € -
UTE C86-614/A9, C86-614/A9U (03/1986)
Additif 9 à la publication UTE C 86-614 de février 1977
01/03/1986 - Papier - Français -
En savoir plus127,67 € -
UTE C86-614/A8, C86-614/A8U (05/1981)
Additif 8 à la publication UTE C 86-614 de février 1977
01/05/1981 - Papier - Français -
En savoir plus127,67 € -
UTE C86-614/A7, C86-614/A7U (01/1981)
Additif 7 à la publication UTE C 86-614 de février 1977
01/01/1981 - Papier - Français -
En savoir plus31,00 € -
UTE C86-614/A6, C86-614/A6U (01/1980)
Additif 6 à la publication UTE C 86-614 de février 1977
01/01/1980 - Papier - Français -
En savoir plus88,33 € -
UTE C86-614/A5, C86-614/A5U (08/1979)
Additif 5 à la publication UTE C 86-614 de février 1977
01/08/1979 - Papier - Français -
En savoir plus88,33 € -
UTE C86-614/A2, C86-614/A2U (11/1978)
COMPOSANTS ELECTRONIQUES. TRANSISTORS BIPOLAIRES DE COMMUTATION. ADDITIF 2 AU RECUEIL DE SPECIFICATIONS PARTICULIERES ENTRANT DANS LE CADRE DES NORMES NF C 86-010 ET NF C 86-614.
01/11/1978 - Papier - Français -
En savoir plus116,50 € -
UTE C86-614/A1, C86-614/A1U (04/1978)
COMPOSANTS ELECTRONIQUES. TRANSISTORS BIPOLAIRES DE COMMUTATION. ADDITIF 1 AU RECUEIL DE SPECIFICATIONS PARTICULIERES ENTRANT DANS LE CADRE DES NORMES NF C 86-010 ET NF C 86-614 (SPECIFICATIONS CECC 50 000 ET 50 004).
01/04/1978 - Papier - Français -
En savoir plus72,00 € -
UTE C86-614, C86-614U (02/1977)
Composants électroniques - Transistors bipolaires de commutation - Recueil de spécifications particulières.
01/02/1977 - Papier - Français -
En savoir plus88,33 €
