NF EN IEC 63373, C96-373 (03/2022)

NF EN IEC 63373, C96-373 (03/2022)

Lignes directrices pour les méthodes d'essai de résistance dynamique à l'état passant des dispositifs de conversion de puissance fondés sur les HEMT en GaN

€88.33

Details

Le présent document donne des lignes directrices pour l'essai de résistance dynamique à l'état passant des solutions de transistors de puissance latéraux en GaN. En règle générale, l'essai de résistance dynamique à l'état passant est une mesure des phénomènes de piégeage de charge dans les transistors de puissance en GaN.

Additional Info

Author Association Française de Normalisation (AFNOR)
Published by AFNOR
Document type Standard
ICS 31.080.30 : Transistors
Number of pages 17
Weight(kg.) 0.1289
Keyword NF EN IEC 63373