Name | Support | Language | Availability | Edition date | Price | ||
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Paper |
French |
Active |
3/1/2022 |
€88.33 |
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Details
Le présent document donne des lignes directrices pour l'essai de résistance dynamique à l'état passant des solutions de transistors de puissance latéraux en GaN. En règle générale, l'essai de résistance dynamique à l'état passant est une mesure des phénomènes de piégeage de charge dans les transistors de puissance en GaN.
Additional Info
Author | Association Française de Normalisation (AFNOR) |
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Published by | AFNOR |
Document type | Standard |
ICS | 31.080.30 : Transistors
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Number of pages | 17 |
Weight(kg.) | 0.1289 |
Keyword | NF EN IEC 63373 |